研討會
6月26日GaN on Si技術研討會
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- 活動日期: 106年6月26日（星期一）13:10~16:20
- 活動地點: 工研院中興院區78館209會議室 (新竹縣竹東鎮中興路四段195號78館209會議室)
- 主辦單位: 工業技術研究院電子與光電系統研究所、電力電子系統研發聯盟(PESC)
- 報名費用: 已含稅、講義與餐點 1. 一般學員每人新台幣2,000元 2. PESC聯盟享有3名人員免費，第4人起每人新台幣1,000元 3. AMPA聯盟會員每人新台幣1,000元 4. 電光系統所同仁免費 5. 工研院非電光系統所同仁每人新台幣1,000元 6. 在學學生每人新台幣1,000元
- 聯絡人姓名: 蕭素貞小姐
- 聯絡人電話: (03)591-7510
- 聯絡人Email: sjhsiao@itri.org.tw
- 相關連結: https://wlsms.itri.org.tw/ClientSignUp/Index.aspx?ActGUID=26956ADCAA
在寬能隙半導體元件當中，因為物理與材料特性的優越性，GaN元件具有耐高溫、耐高壓與高頻等獨特的三高優勢。而GaN元件也因不同的基材選擇，有不同的技術挑戰、特性、成本結構與應用，如光電、功率電子與高頻通訊等產業。我們在本次研討會邀請國內從事GaN方面研發的重要專家，分別就GaN on Si磊晶，GaN on Si元件與GaN元件的驅動IC設計及系統應用等技術發表演說。內容豐富精采可期，歡迎各界先進踴躍參與。
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