活動資訊-TOSIA 台灣光電暨化合物半導體產業協會

目前商品化之氮化鎵系半導體光電元件技術均以藍寶石(Al2O3)與碳化矽(SiC)基板為主，且關鍵專利大多掌握在日本、美國和德國廠商手中，鑒於專利與材料方面的種種問題，因此開發關鍵性GaN on Silicon磊晶技術，方能擺脫關鍵原料、技術受制於美日的困境。以矽半導體成長氮化鎵磊晶薄膜有著低成本、大面積與高導電(熱)基板等優勢；此外，以矽作為LED封裝基板，不但滿足未來高功率LED低熱阻的封裝需求，也可減少封裝尺寸，具有較高的信賴性。是故，透過開發高品質大尺寸GaN on Si技術，將可進一步與高度成熟的矽半導體產業結合成光電積體電路，並藉以開發高效率、大面積、低成本之白光LED作為新世代照明光源，進階提升國內產業技術研發效率、縮短研發成果落實至產業界時程，創新我國產業之另一利基優勢。
為此工研院電光所特舉辦本次研討會，活動中將聘請到日本原名古屋大學Sawaki教授與國內產學專家進行演講，透過難得之台日技術交流，期許建立國內LED元件自主研發能力，精采可期之活動內容，誠摯歡迎相關技術產業先進踴躍報名參加。